Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния р-типа
Исследуется ияние дефекто наведенных облучением быстрыми нейронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (p-Si<B, P>) и контрольном p-Si<B> методом измерения коэфициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удале...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 5. С. 75-78 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133871 |
| Итог: | Исследуется ияние дефекто наведенных облучением быстрыми нейронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (p-Si<B, P>) и контрольном p-Si<B> методом измерения коэфициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удаления носителей заряда p-Si<B, P> быстрее, чем p-Si<B>. Предлагается барьерная модель, объясняющая наблюдаемый эффект. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 8 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |