Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния р-типа
Исследуется ияние дефекто наведенных облучением быстрыми нейронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (p-Si<B, P>) и контрольном p-Si<B> методом измерения коэфициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удале...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 54, № 5. С. 75-78 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001133871 |