Влияние тылового контакта на электрофизические и функциональные характеристики пленочных CdTe-детекторных структур с барьером Шоттки
Для регистрации ядерных излучений созданы пленочные CdTe-детекторные структуры с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTе-пленок с удельным сопротивлением ρ = 105-107 Ом⋅см. Измерены вольт-фарадные, вольт-амперные, амплитудные и шумовые характеристики структур и определ...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 55, № 2. С. 47-52 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139226 Перейти в каталог НБ ТГУ |