High oxygen sensitivity of TiO2 thin films deposited by ALD

The gas sensitivity and structural properties of TiO2 thin films deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition (ALD) were examined in detail. The TiO2 thin films are deposited using Tetrakis(dimethylamido)titanium(IV) and oxygen plasma at 300 °C on SiO2 substrates followed by annealing at tem...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Micromachines Vol. 14, № 10. P. 1875 (1-14)
Другие авторы: Almaev, Aleksei V., Yakovlev, Nikita N., Almaev, Dmitry A., Verkholetov, Maksim G., Rudakov, Grigory A., Litvinova, Kristina I.
Формат: Статья в журнале
Язык:English
Предметы:
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001139587
Перейти в каталог НБ ТГУ