Моделирование электронных свойств напряженного кремния на германиевой подложке
Построена модель для расчета деформаций в структуре из произвольного числа тонких кристаллических слоев Si и Ge на неупругой пленке. Определены относительные деформации в слоях псевдоморфных Si и Ge в зависимости от отношения толщин контактирующих полупроводников. Построенная модель позволяет опреде...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 1. С. 50-56 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140210 |