Исследование многокомпонентных наноструктурных (Ti-Zr-Hf-V-Nb)N покрытий ядерно-физическими методами анализа до и после термического отжига

С помощью различных взаимодополняющих методов элементно-структурного анализа, таких, как медленный пучок позитронов (SPB), микропучок протонов (μ-PIXE), микро- и нанопучок электронов (EDS- и SEM-анализ), метод фазово-структурного анализа XRD, метод «a - sin2ϕ» измерений напряженно-деформированного...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 5. С. 41-50
Other Authors: Погребняк, Александр Дмитриевич, Береснев, Вячеслав Мартынович, Бондарь, Александр Вячеславович, Каверин, Михаил Валерьевич, Пономарев, Александр Георгиевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140246
Перейти в каталог НБ ТГУ
Description
Summary:С помощью различных взаимодополняющих методов элементно-структурного анализа, таких, как медленный пучок позитронов (SPB), микропучок протонов (μ-PIXE), микро- и нанопучок электронов (EDS- и SEM-анализ), метод фазово-структурного анализа XRD, метод «a - sin2ϕ» измерений напряженно-деформированного состояния (рентгеновская тензометрия), исследованы многокомпонентные, наноструктурные покрытия из (Ti-Zr-Hf-V-Nb)N толщиной 1,0-1,4 мкм, полученные методом Сathodic - Arc - Vapor - Deposition при температуре синтеза 250-300 ºС. В данных покрытиях были изучены элементный состав, микроструктура, остаточные напряжения в нанозернах, профили распределения дефектов и атомов по глубине и на поверхности покрытия в 3D-представлении, исследован фазовый состав, напряженно-деформированное состояние, текстура покрытий до и после отжига при Тотж = 600 ºС и времени отжига τ = 30 мин. Показано, что можно в значительной степени повысить устойчивость рассматриваемых покрытий к окислению при высокотемпературном отжиге образованием значительного упругого напряженно-деформированного состояния сжатия в покрытии. Было обнаружено перераспределение элементов и дефектов, их сегрегация вблизи границ раздела интерфейсов, вокруг зерен и субзерен за счет термостимулированной диффузии и окончания процесса спинодальной сегрегации, без значительного изменения среднего размера нанозерен.
Bibliography:Библиогр.: 35 назв.
ISSN:0021-3411