Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Электрические свойства полупро...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-TiO2/n-GaP

Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-TiO2/n-GaP

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 2. С. 108-109
Main Author: Брус, Виктор Васильевич
Other Authors: Ковалюк, Захар Дмитриевич, Марьянчук, Павел Дмитриевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
диоксид титана
фосфид галлия
гетероструктуры
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140473
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140473

Similar Items

  • Ab-initio study of cation-rich InP(001) and GaP(001) surface reconstructions and iodine adsorption
    by: Bakulin, Alexander V.
  • Эффективность встраивания фосфора из потока молекул P2 (P4) при молекулярно-лучевой эпитаксии GaP
  • Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP
  • Мощные диоды Ганна 8-мм диапазона: GaAs, InP
    by: Лукаш, Виталий Сергеевич
  • Полупроводниковые материалы в современной электронике/
    by: Мильвидский, М. Г. Михаил Григорьевич
    Published: (1986)
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...