Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-TiO2/n-GaP
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 2. С. 108-109 |
|---|---|
| Main Author: | Брус, Виктор Васильевич |
| Other Authors: | Ковалюк, Захар Дмитриевич, Марьянчук, Павел Дмитриевич |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140473 |
Similar Items
-
Ab-initio study of cation-rich InP(001) and GaP(001) surface reconstructions and iodine adsorption
by: Bakulin, Alexander V. - Эффективность встраивания фосфора из потока молекул P2 (P4) при молекулярно-лучевой эпитаксии GaP
- Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP
-
Мощные диоды Ганна 8-мм диапазона: GaAs, InP
by: Лукаш, Виталий Сергеевич -
Полупроводниковые материалы в современной электронике/
by: Мильвидский, М. Г. Михаил Григорьевич
Published: (1986)
