Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-TiO2/n-GaP

Электрические свойства полупроводниковой гетероструктуры n-TiO2/n-GaP

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 2. С. 108-109
Главный автор:	Брус, Виктор Васильевич
Другие авторы:	Ковалюк, Захар Дмитриевич, Марьянчук, Павел Дмитриевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	диоксид титана фосфид галлия гетероструктуры статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140473

Похожие документы

Ab-initio study of cation-rich InP(001) and GaP(001) surface reconstructions and iodine adsorption
по: Bakulin, Alexander V.

Эффективность встраивания фосфора из потока молекул P2 (P4) при молекулярно-лучевой эпитаксии GaP

Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP

Мощные диоды Ганна 8-мм диапазона: GaAs, InP
по: Лукаш, Виталий Сергеевич

Полупроводниковые материалы в современной электронике/
по: Мильвидский, М. Г. Михаил Григорьевич
Публикация: (1986)

Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP
по: Брудный, Валентин Натанович

Особенности формирования DX-центров примесями S и Si в InGaP "переходного" диапазона составов

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2
по: Воеводин, Валерий Георгиевич

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Synthesis of TiO2 and F-doping TiO2 powders via "reverse" hydrolysis of titanium tetraisopropoxide
по: Fakhrutdinova, Elena D.

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
по: Брудный, Валентин Натанович

Photodegradation of an herbicide (2-methyl-4-chlorophenoxyacetic acid) in the presence of “TiO2, SnO2, SnO2/TiO2 nanoparticles – polypropylene fibrous carrier” systems

Hydrogen in single-crystalline anatase TiO2

Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg

Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Reorientation kinetics of hydroxyl groups in anatase TiO2
по: Chaplygin, I.

Photoelectrical characteristics of TiO2-N-Si heterostructures

Электрические характеристики структур металл-TiO2-Si на переменном сигнале

Исследование возможности создания мощного излучающего диода ИК-диапазона на основе одинарной гетероструктуры GaAs-AlGaAs

Туннельный ток в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AlxGa1-x N(0001) и GaAs/AlxGa1-x As(001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Термическое оксидирование арсенида галлия и фосфида индия в присутствии оксидов-примесей Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук. 02.00.04
по: Свиридова, Вера Васильевна
Публикация: (1995)

Модифицирование полипропиленового волокна наночастицами TiO2

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Effect of laser treatment of TiO2 on optical and photocatalytic properties

Laser-based synthesis of TiO2-Pt photocatalysts for hydrogen generation

Лазерный синтез и фотокаталитическое получение водорода на дефектном TiO2
по: Федорович, Жанна Павловна

Study of the structure and optical properties of TiO2 prepared via pulsed laser ablation for photocatalytic applications

Электрофизические характеристики гетероструктур Ga2O3/GaAs, полученные методом анодного окисления
по: Таллер, Елена Викторовна

Свойства прозрачных проводящих пленок TiO2-SnO2, полученных из пленкообразующих растворов
по: Кузнецова, Светлана Анатольевна химик

Влияние лазерной постобработки на оптические свойства темного TiO2, полученного методом импульсной лазерной абляции
по: Федорович, Жанна Павловна

Фазовый состав и морфология поверхности диэлектрических и полупроводниковых пленок, сформированных термооксидированием гетероструктур (V2O5+PbO)/InP и (NiO+PbO)/InP

Структурные и оптические свойства гетероструктур CdSe/TiO2, полученных импульсным высоковольтным методом
по: Малий, Любовь Викторовна

Изучение воздействия наночастиц TiO2 и Al2O3 на бактерии Pseudomonas Fluorescens и Bacillus Mucilaginosus
по: Лущаева, Инна Владимировна

The low-temperature sol-gel synthesis of metal-oxide films on polymer substrates and the determination of their optical and dielectric properties