Люминесценция деградированных структур Si-SiO2
Рассмотрены возможности методов электролюминесценции (ЭЛ) и катодолюминесценции (КЛ) в спектральном диапазоне 250-800 нм при изучении физико-химических процессов, протекающих в структурах Si-SiO2 в результате экстремальных внешних воздействий (сильные электрические поля, γ-облучение). Установлено,...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 5. С. 56-61 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140623 Перейти в каталог НБ ТГУ |