Люминесценция деградированных структур Si-SiO2

Рассмотрены возможности методов электролюминесценции (ЭЛ) и катодолюминесценции (КЛ) в спектральном диапазоне 250–800 нм при изучении физико-химических процессов, протекающих в структурах Si–SiO2 в результате экстремальных внешних воздействий (сильные электрические поля, γ-облучение). Установлено, ч...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 5. С. 56-61
Main Author: Барабан, Александр Петрович
Other Authors: Дмитриев, Валентин Александрович, Гаджала, Андрей Александрович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140623
LEADER 03370nab a2200313 c 4500
001 koha001140623
005 20240613130409.0
007 cr |
008 240606|2014 ru s c rus d
035 |a koha001140623 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Барабан, Александр Петрович 
245 1 0 |a Люминесценция деградированных структур Si-SiO2  |c А. П. Барабан, В. А. Дмитриев, А. А. Гаджала 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 6 назв. 
520 3 |a Рассмотрены возможности методов электролюминесценции (ЭЛ) и катодолюминесценции (КЛ) в спектральном диапазоне 250–800 нм при изучении физико-химических процессов, протекающих в структурах Si–SiO2 в результате экстремальных внешних воздействий (сильные электрические поля, γ-облучение). Установлено, что деградационные процессы наряду с изменением электрофизических характеристик структур Si–SiO2 проявлялись в изменениях спектров люминесценции, особенно в красной области. Схожесть изменений спектров КЛ и ЭЛ структур Si–SiО2 при полевых и радиационных воздействиях указывала на аналогичность протекающих при деградации физико-химических процессов, что подтверждалось качественным совпадением изменений зарядовых характеристик. Практическая неизменность спектрального состава люминесценции указывала на то, что протекающие при деградации процессы не приводят к образованию новых центров люминесценции, а изменяют концентрацию уже существующих биографических дефектов. Это свидетельствует о существовании прямой связи между деградационной стойкостью и технологией формирования окисного слоя на поверхности кремния. 
653 |a электролюминесценция 
653 |a катодолюминесценция 
653 |a структуры Si–SiO2 
653 |a деградация 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Дмитриев, Валентин Александрович 
700 1 |a Гаджала, Андрей Александрович 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2014  |g Т. 57, № 5. С. 56-61  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140623 
908 |a статья 
999 |c 1140623  |d 1140623