Люминесценция деградированных структур Si-SiO2
Рассмотрены возможности методов электролюминесценции (ЭЛ) и катодолюминесценции (КЛ) в спектральном диапазоне 250–800 нм при изучении физико-химических процессов, протекающих в структурах Si–SiO2 в результате экстремальных внешних воздействий (сильные электрические поля, γ-облучение). Установлено, ч...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 5. С. 56-61 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140623 |