Влияние оптического облучения на электрический импеданс композитных наноструктур, сформированных на основе слоистого полупроводника p-GaSe и наноразмерных трехмерных включений сегнетоэлектрика KNO3

Исследованы импедансные спектры композитных наноструктур GaSe<KNO3> в темноте и при их облучении светом. Установлено, что процессы аккумуляции и переноса носителей заряда в этих структурах определяются деформационным взаимодействием между 3D-наноразмерными пирамидальными сегнетоэлектрическими...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 5. С. 70-84
Другие авторы:	Бахтинов, Анатолий Петрович, Водопьянов, Владимир Николаевич, Ковалюк, Захар Дмитриевич, Кудринский, Захар Русланович, Нетяга, Виктор Васильевич
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	композиты слоистые полупроводники сегнетоэлектрики импедансная спектроскопия наноструктуры статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001140627