Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • Граничные условия в моделях дл...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
Граничные условия в моделях для расчета электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах

Граничные условия в моделях для расчета электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 12. С. 20-25
Main Author: Чернышов, Виктор Николаевич
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
гетеростуктуры
условия сшивания
псевдопотенциал
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141237
Перейти в каталог НБ ТГУ
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141237
Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

  • Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
    by: Караваев, Геннадий Федорович
  • Аналитические методы теории волноводов
    by: Миттра, Р.
    Published: (1974)
  • Граничные условия в простых клеточно-автоматных моделях
    by: Маркова, Валентина Петровна
  • Малопараметрические псевдопотенциалы в расчетах электронных свойств наноструктурных соединений
    by: Копцев, А. П.
  • Степенная модель псевдопотенциала
    by: Копцев, Артем Павлович
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...