Граничные условия в моделях для расчета электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 12. С. 20-25
Главный автор: Чернышов, Виктор Николаевич
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141237
LEADER 01137nab a2200265 c 4500
001 koha001141237
005 20240621151132.0
007 cr |
008 240618|2014 ru s c rus d
035 |a koha001141237 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Чернышов, Виктор Николаевич 
245 1 0 |a Граничные условия в моделях для расчета электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах  |c В. Н. Чернышов 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 6 назв. 
653 |a гетеростуктуры 
653 |a условия сшивания 
653 |a псевдопотенциал 
655 4 |a статьи в журналах 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2014  |g Т. 57, № 12. С. 20-25  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141237 
908 |a статья 
999 |c 1141237  |d 1141237