Граничные условия в моделях для расчета электронных состояний в полупроводниковых наноструктурах
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 57, № 12. С. 20-25 |
|---|---|
| Главный автор: | Чернышов, Виктор Николаевич |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141237 |
Похожие документы
-
Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович -
Аналитические методы теории волноводов
по: Миттра, Р.
Публикация: (1974) -
Граничные условия в простых клеточно-автоматных моделях
по: Маркова, Валентина Петровна -
Малопараметрические псевдопотенциалы в расчетах электронных свойств наноструктурных соединений
по: Копцев, А. П. -
Степенная модель псевдопотенциала
по: Копцев, Артем Павлович
