Стабильность электрических характеристик МОП-структур на основе оксида галлия
Представлены результаты исследования вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик структур металл – оксид – полупроводник на основе GaxOy/GaAs, полученных методом термического испарения. Установлено влияние температуры отжига на характеристики структур. Обнаружено, что при длительном хранении в ко...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 6. С. 3-6 |
|---|---|
| Other Authors: | Калыгина, Вера Михайловна, Петрова, Юлианна Сергеевна, Прудаев, Илья Анатольевич, Толбанов, Олег Петрович |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141259 |
Similar Items
- Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур
- Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме
- Исследование электрических характеристик структур TiO2-Si
-
Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия
by: Зенкова, Анастасия Дмитриевна -
Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К
by: Войцеховский, Александр Васильевич
