Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела
Анализ экспериментальных данных выявил зависимость высоты барьера металл/n-GaN GaN(0001) от работы выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности полупроводника. В случае барьеров металл/p-GaN(Mg) имеет место значительный разброс соответствующих экспери...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 11. С. 121-126 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141301 |