|
|
|
|
| LEADER |
02074nab a2200277 c 4500 |
| 001 |
koha001141301 |
| 005 |
20240625164446.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
240619|2015 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001141301
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 100 |
1 |
|
|a Брудный, Валентин Натанович
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела
|c В. Н. Брудный
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 51 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a Анализ экспериментальных данных выявил зависимость высоты барьера металл/n-GaN GaN(0001) от работы выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности полупроводника. В случае барьеров металл/p-GaN(Mg) имеет место значительный разброс соответствующих экспериментальных данных и закрепление приповерхностного уровня Ферми вблизи Ev + 2.5 эВ в большинстве структур, что обусловлено влиянием высокой плотности интерфейсных дефектных состояний, сформированных в процессе легирования GaN примесью Mg.
|
| 653 |
|
|
|a нитрид галлия
|
| 653 |
|
|
|a зарядовая нейтральность
|
| 653 |
|
|
|a границы раздела
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2015
|g Т. 58, № 11. С. 121-126
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141301
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1141301
|d 1141301
|
