Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела

Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела

Анализ экспериментальных данных выявил зависимость высоты барьера металл/n-GaN GaN(0001) от работы выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности полупроводника. В случае барьеров металл/p-GaN(Mg) имеет место значительный разброс соответствующих экспери...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 58, № 11. С. 121-126
Главный автор:	Брудный, Валентин Натанович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	нитрид галлия зарядовая нейтральность границы раздела статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141301

Похожие документы

BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование
по: Брудный, Валентин Натанович

Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность
по: Брудный, Валентин Натанович

Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe
по: Брудный, Валентин Натанович

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
по: Брудный, Валентин Натанович

Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N

Электронная структура и уровень локальной электронейтральности политипов SiC из квазичастичных расчетов в рамках GW-приближения
по: Брудный, Валентин Натанович

Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов
по: Брудный, Валентин Натанович

Нитрид галлия в качестве материала для спинтроники
по: Хлудков, Станислав Степанович

Ферромагнитный нитрид галлия, легированный марганцем, в качестве материала для спинтроники

Ферромагнитный нитрид галлия, легированный примесями редкоземельных элементов, в качестве материала для спинтроники

Молекулярная эволюция: теория нейтральности: монография : пер. с англ./
по: Кимура, М. Мотоо
Публикация: (1985)

Спектры ростовых ловушек нитрида галлия
по: Брудный, Павел Александрович

Теоретическое исследование границы раздела (110) между полными сплавами Гейслера и GaAs
по: Бакулин, Александр Викторович

Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx) Se, GaSe1-x(Sx,Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Саркисов, Сергей Юрьевич
Публикация: (2010)

Отжиг нитрида галлия при электронно-лучевой обработке
по: Баровский, Н. В.

Полупроводниковые приборы с зарядовой связью/
по: Носов Юрий Романович, et al.
Публикация: (1976)

Влияние легирования на адгезионные свойства границы раздела Ti3Al/Al2O3
по: Бакулин, Александр Викторович

Микросхемотехника БИС на приборах с зарядовой связью: /
по: Кузнецов, Ю. А. Юрий Алексеевич, et al.
Публикация: (1988)

Предельное положение уровня Ферми в сильно облученных кристаллах нитрида галлия

Формирование шероховатости на поверхности нитрида галлия
по: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
по: Копьев, Виктор Васильевич

Упругие деформации на границах раздела конечной и бесконечно малой толщины
по: Чертова, Надежда Васильевна

Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Влияния кривизны границы раздела "покрытие-подложка" на характер разрушения теплозащитных покрытий на основе YSZ

Нитрид кремния в электронике/
по: Белый, В. И. Вячеслав Иванович, et al.
Публикация: (1982)

Механизм нелинейной объемно-зарядовой поляризации в ионных диэлектриках
по: Калытка, Валерий Александрович

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Оружие и современный искусственный интеллект: два варианта отрицания ценностной нейтральности технологии
по: Ястреб, Наталья Андреевна

Упругие деформации на границе раздела при учете механических свойств и размеров
по: Чертова, Надежда Васильевна

Развитие многоуровневого подхода учета границ раздела при моделировании механического отклика интерфейсно-контролируемых материалов

Развитие многоуровневого подхода учета границ раздела при моделировании механического отклика интерфейсно-контролируемых материалов
по: Астафуров, Сергей Владимирович

Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
по: Prudaev, Ilya A.

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия

Перестройка твердых тел на границах раздела фаз
по: Мокроусов, Геннадий Михайлович
Публикация: (1990)

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN