Температурные и полевые зависимости параметров элементов эквивалентной схемы МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.775Cd0.225Te в режиме сильной инверсии
Предложена методика для определения параметров элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии из результатов измерения адмиттанса МДП-структур на основе n-Hg₀.₇₇₅Cd0.₂₂₅Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе n-Hg₀.₇...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 7. С. 8-18 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141337 |