Температурные и полевые зависимости параметров элементов эквивалентной схемы МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.775Cd0.225Te в режиме сильной инверсии

Предложена методика для определения параметров элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии из результатов измерения адмиттанса МДП-структур на основе n-Hg₀.₇₇₅Cd0.₂₂₅Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе n-Hg₀.₇...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 7. С. 8-18
Main Author: Войцеховский, Александр Васильевич
Other Authors: Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141337
LEADER 03913nab a2200337 c 4500
001 koha001141337
005 20241016173312.0
007 cr |
008 240619|2016 ru s c rus d
035 |a koha001141337 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Войцеховский, Александр Васильевич 
245 1 0 |a Температурные и полевые зависимости параметров элементов эквивалентной схемы МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.775Cd0.225Te в режиме сильной инверсии  |c А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 30 назв. 
520 3 |a Предложена методика для определения параметров элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии из результатов измерения адмиттанса МДП-структур на основе n-Hg₀.₇₇₅Cd0.₂₂₅Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе n-Hg₀.₇₇₅Cd0.₂₂₅Te с приповерхностным варизонным слоем при 77 К и частотах, превышающих 10 кГц, имеют высокочастотный вид относительно времени перезарядки поверхностных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми для собственного полупроводника. Установлено, что концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое превышает интегральную концентрацию, найденную методом Холла, более чем в 2 раза. При помощи предложенной методики для МДП-структуры на основе n-Hg₀.₇₇₅Cd0.₂₂₅Te без варизонного слоя определены температурные зависимости емкости диэлектрика, емкости и дифференциального сопротивления области пространственного заряда, емкости инверсионного слоя. Проведен расчет температурных и полевых зависимостей параметров элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии, причем результаты расчета качественно согласуются с результатами, полученными из измерений адмиттанса. 
653 |a молекулярно-лучевая эпитаксия 
653 |a варизонный слой 
653 |a вольт-фарадная характеристика 
653 |a емкость и сопротивление области пространственного заряда 
653 |a емкость инверсионного слоя 
653 |a МДП-структуры 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Несмелов, Сергей Николаевич 
700 1 |a Дзядух, Станислав Михайлович 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2016  |g Т. 59, № 7. С. 8-18  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141337 
908 |a статья 
999 |c 1141337  |d 1141337