Температурные и полевые зависимости параметров элементов эквивалентной схемы МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.775Cd0.225Te в режиме сильной инверсии

Похожие документы

• Admittance of MIS structures based on MBE Hg1 –xCdxTe (x = 0.21–0.23) in a wide temperature range
• Temperature and field dependences of parameters of the equivalent circuit elements of MIS structures based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the strong inversion mode
  по: Voytsekhovskiy, Alexander V.
• Нелинейная полупроводниковая емкость/
  по: Берман, Л. С. Лев Соломонович
  Публикация: (1963)
• Информационная емкость мозга человека
  по: Сырямкин, Владимир Иванович
• Изучение баллистического гальванометра и определение неизвестной емкости методические указания для проведения лабораторных работ
  Публикация: (2022)