Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Представлены результаты экспериментальных исследований внутреннего квантового выхода фотолюминесценции светодиодных гетероструктур синего диапазона длин на основе множественных квантовых ями InₓGa₁₋ₓN/GaN с короткопериодными сверхрешетками InᵧGa₁₋ᵧN/GaN с малым содержанием In при высоких уровнях оп...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 7. С. 19-22
Other Authors: Прудаев, Илья Анатольевич, Романов, Иван Сергеевич, Копьев, Виктор Васильевич, Брудный, Валентин Натанович, Мармалюк, Александр Анатольевич 1970-, Курешов, Владимир Александрович, Сабитов, Дамир Равильевич, Мазалов, Александр Владимирович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
нитрид галлия/индия
светодиоды
квантовые ямы
короткопериодные сверхрешетки
фотолюминесценция
внутренний квантовый выход
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141338
Перейти в каталог НБ ТГУ
Description
Summary:Представлены результаты экспериментальных исследований внутреннего квантового выхода фотолюминесценции светодиодных гетероструктур синего диапазона длин на основе множественных квантовых ями InₓGa₁₋ₓN/GaN с короткопериодными сверхрешетками InᵧGa₁₋ᵧN/GaN с малым содержанием In при высоких уровнях оптической накачки. Введение сверхрешетки InᵧGa₁₋ᵧN/GaN со стороны n-области светодиодной гетероструктуры InₓGa₁₋ₓN/GaN позволяет повысить значение ее внутреннего квантового выхода предположительно за счет уменьшения квантового эффекта Штарка и снижения темпа оже-рекомбинации.
Bibliography:Библиогр.: 8 назв.
ISSN:0021-3411

Similar Items