К теории сдвигового линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках симметрии тетраэдра при двухфотонном поглощении
Теоретически проанализировано возникновение тока сдвигового линейного фотогальванического эффекта при двухфотонном поглощении света в полупроводниках без центра симметрии со сложной зонной структурой. При этом учтены вклады в фототок как одновременного поглощения двух фотонов, так и последовател...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 1. С. 77-82 |
|---|---|
| Главный автор: | Расулов, Рустам Явкачович |
| Другие авторы: | Расулов, Вохоб Рустамович, Эшболтаев, Икболжон Мамиржонович |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141486 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
-
К теории баллистического линейного фотогальванического эффекта в полупроводниках симметрии тетраэдра при двухфотонном поглощении
по: Расулов, Рустам Явкачович -
Основы оптоэлектроники: учебное пособие для студентов, обучающихся по физико-техническим направлениям бакалавриата/
по: Давыдов, В. Н. Валерий Николаевич
Публикация: (2021) -
Линейный фотогальванический эффект в полупроводнике с горбообразной зонной структурой с учетом эффекта когерентного насыщения
по: Расулов, Рустам Явкачович -
Кинетические свойства и зонные параметры кристаллов Hg1-xMnxS
по: Марьянчук, Павел Дмитриевич -
Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия
по: Кособуцкий, Алексей Владимирович
