Дисперсия числа носителей заряда в приближении Лэкса при корпускулярно-полевых воздействиях на полупроводник
В рамках ступенчатого распределения спектральной плотности примесно-дефектных состояний по запрещенной зоне полупроводника по теореме Лэкса вычислена дисперсия числа носителей заряда при действии электрического поля и фоновой засветки. Взамен концепции квазиуровней Ферми предложен подход к описанию...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 1. С. 86-92 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141671 |