| Итог: | В рамках ступенчатого распределения спектральной плотности примесно-дефектных состояний по запрещенной зоне полупроводника по теореме Лэкса вычислена дисперсия числа носителей заряда при действии электрического поля и фоновой засветки. Взамен концепции квазиуровней Ферми предложен подход к описанию состояния полупроводника при фоновой засветке, основанный на «нагреве» полупроводника засветкой, что позволило корректно определить энергию уровня Ферми в широком диапазоне мощностей засветки. Показано, что зависимость дисперсии от напряжения носит монотонно нарастающий характер с насыщением, а засветка смещает эту зависимость в сторону меньших значений напряжения. Сделан вывод о невозможности объяснения минимума шума фоторезистора из n-CdSe при действии засветки и напряжения только предположением о немонотонном распределении концентрации центров перезарядки по запрещенной зоне полупроводника.
|
|---|
