|
|
|
|
| LEADER |
03091nab a2200313 c 4500 |
| 001 |
koha001141671 |
| 005 |
20241202125758.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
240625|2017 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001141671
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 100 |
1 |
|
|a Давыдов, Валерий Николаевич
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Дисперсия числа носителей заряда в приближении Лэкса при корпускулярно-полевых воздействиях на полупроводник
|c В. Н. Давыдов, С. В. Харитонов, Н. Э. Лугина
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 20 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a В рамках ступенчатого распределения спектральной плотности примесно-дефектных состояний по запрещенной зоне полупроводника по теореме Лэкса вычислена дисперсия числа носителей заряда при действии электрического поля и фоновой засветки. Взамен концепции квазиуровней Ферми предложен подход к описанию состояния полупроводника при фоновой засветке, основанный на «нагреве» полупроводника засветкой, что позволило корректно определить энергию уровня Ферми в широком диапазоне мощностей засветки. Показано, что зависимость дисперсии от напряжения носит монотонно нарастающий характер с насыщением, а засветка смещает эту зависимость в сторону меньших значений напряжения. Сделан вывод о невозможности объяснения минимума шума фоторезистора из n-CdSe при действии засветки и напряжения только предположением о немонотонном распределении концентрации центров перезарядки по запрещенной зоне полупроводника.
|
| 653 |
|
|
|a дисперсия
|
| 653 |
|
|
|a Лэкса теорема
|
| 653 |
|
|
|a фоторезисторы
|
| 653 |
|
|
|a примесно-дефектные состояния
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Харитонов, Сергей Викторович
|
| 700 |
1 |
|
|a Лугина, Наталья Эдуардовна
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2017
|g Т. 60, № 1. С. 86-92
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141671
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1141671
|d 1141671
|
