Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур
В диапазоне температур 9-77 К экспериментально исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного n-Hg₁₋ₓCdₓTe (x = 0.22-0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. По значению емкости в минимуме ВФХ определены концентрации основных носителей заряда в...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 1. С. 109-118 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141677 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | В диапазоне температур 9-77 К экспериментально исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного n-Hg₁₋ₓCdₓTe (x = 0.22-0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. По значению емкости в минимуме ВФХ определены концентрации основных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника вследствие высокочастотного вида емкостных характеристик структур с варизонным слоем относительно времени перезарядки поверхностных состояний. Концентрация электронов в приповерхностном слое варизонного n-Hg₁₋ₓCdₓTe при x = 0.22-0.23 в рабочем слое, найденная по значению емкости в минимуме, значительно превышает интегральную концентрацию электронов, определенную методом Холла. При увеличении состава в рабочем слое до x = 0.30-0.40 различие значений концентраций электронов существенно уменьшается при близких составах вблизи поверхности. Полученные результаты объясняются возникновением дополнительных собственных дефектов донорного типа в приповерхностном варизонном слое, причем этот эффект наиболее ярко проявляется при больших градиентах состава в варизонном слое. Результаты обработки экспериментальных ВФХ качественно согласуются с результатами исследования методом Холла распределения по толщине пленки концентрации электронов. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 29 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |