Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур

В диапазоне температур 9–77 К экспериментально исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного n-Hg₁₋ₓCdₓTe (x = 0.22–0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. По значению емкости в минимуме ВФХ определены концентрации основных носителей заряда в пр...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 1. С. 109-118
Other Authors: Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Григорьев, Денис Валерьевич, Ляпунов, Дмитрий Владимирович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141677
LEADER 04096nab a2200349 c 4500
001 koha001141677
005 20241016173303.0
007 cr |
008 240625|2017 ru s c rus d
035 |a koha001141677 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур  |c А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 29 назв. 
520 3 |a В диапазоне температур 9–77 К экспериментально исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного n-Hg₁₋ₓCdₓTe (x = 0.22–0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. По значению емкости в минимуме ВФХ определены концентрации основных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника вследствие высокочастотного вида емкостных характеристик структур с варизонным слоем относительно времени перезарядки поверхностных состояний. Концентрация электронов в приповерхностном слое варизонного n-Hg₁₋ₓCdₓTe при x = 0.22–0.23 в рабочем слое, найденная по значению емкости в минимуме, значительно превышает интегральную концентрацию электронов, определенную методом Холла. При увеличении состава в рабочем слое до x = 0.30–0.40 различие значений концентраций электронов существенно уменьшается при близких составах вблизи поверхности. Полученные результаты объясняются возникновением дополнительных собственных дефектов донорного типа в приповерхностном варизонном слое, причем этот эффект наиболее ярко проявляется при больших градиентах состава в варизонном слое. Результаты обработки экспериментальных ВФХ качественно согласуются с результатами исследования методом Холла распределения по толщине пленки концентрации электронов. 
653 |a МДП-структуры 
653 |a теллурид кадмия-ртути 
653 |a молекулярно-лучевая эпитаксия 
653 |a концентрация электронов 
653 |a экспериментальные исследования 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Войцеховский, Александр Васильевич 
700 1 |a Несмелов, Сергей Николаевич 
700 1 |a Дзядух, Станислав Михайлович 
700 1 |a Григорьев, Денис Валерьевич 
700 1 |a Ляпунов, Дмитрий Владимирович 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2017  |g Т. 60, № 1. С. 109-118  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141677 
908 |a статья 
999 |c 1141677  |d 1141677