Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур

Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур

В диапазоне температур 9–77 К экспериментально исследованы вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного n-Hg₁₋ₓCdₓTe (x = 0.22–0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. По значению емкости в минимуме ВФХ определены концентрации основных носителей заряда в пр...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 1. С. 109-118
Другие авторы:	Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Григорьев, Денис Валерьевич, Ляпунов, Дмитрий Владимирович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	МДП-структуры теллурид кадмия-ртути молекулярно-лучевая эпитаксия концентрация электронов экспериментальные исследования статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141677

Похожие документы

Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Electron concentration in the near-surface graded-gap layer of MBE n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40) determined from the capacitance measurements of MIS-structures

Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)

Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур

Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)

Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу

Influence of composition of Hg1-xCdxTe(x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Impact of the graded-gap layer on the admittance of MIS structures based on MBE-grown n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) with the Al2O3 insulator

Admittance of MIS structures based on MBE Hg1 –xCdxTe (x = 0.21–0.23) in a wide temperature range

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Дзядух, Станислав Михайлович

Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур

Фоторезисторный приемник на основе Hq1-xCdxTe
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Исследование структуры МДП на основе узкозонного полупроводника Hq1-xCdxTe

Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1–xCdxTe после ионной имплантации бора

Properties of arsenic-implanted Hg1-xCdxTe MBE films

Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К

Investigation of the effect of soft X-ray radiation on the electrophysical characteristics of epitaxial layers n-Hg1-xCdxTe

Annealing kinetics of radiation defects in boron-implanted p-Hg1-xCdxTe
по: Talipov, Niyaz Kh

Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями

Особенности магнитных свойств полупроводников Hg1-xCdxTe, Hg1-xMnxTe автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
по: Шестаков, Алексей Валерьевич
Публикация: (2021)

Birefringence of GaSe1-xSx, x = 0 - 0.44, crystals at mid-IR and THz range

Электрическая проводимость и теплопроводность твердого раствора Sn1–xMnxTe (0 ≥ x ≥ 0.04)
по: Ахундова, Наиля Мубин гызы

Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов

Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления
по: Талипов, Нияз Хатимович

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К

Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3

О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига

Транспортные и термические свойства протонных проводников Ba4-xLaxCa2Nb2O11+0,5x, Ba4Ca2-xLaxNb2O11+0,5x, BaLa1-xCaxInO4-0,5x и La28-xW4+xO54+1,5x автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук : 02.00.04
по: Корона, Даниил Валентинович
Публикация: (2019)

Observation and Spin-Parity Determination of the X(1835) in J/ψ →γ K0SK0Sη

Магнитные и зонные параметры кристаллов (3HgS)1–x(Al2S3)x (x = 0,5), легированных марганцем
по: Марьянчук, Павел Дмитриевич

Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе
по: Талипов, Нияз Хатимович

Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Авиационные амперметр А-040 и вольтметр В-040 (взамен 4МА/2)
Публикация: (1941)

Излучательная рекомбинация в Cdx Hg1-x Te
по: Мехтиев, Ариф Шафаят оглы
Публикация: (1991)