Особенности повреждения свободных поверхностей ОЦК-железа при ионном облучении

На основе метода молекулярной динамики изучено влияние кристаллографической ориентации облучаемой поверхности на особенности развития каскадов атомных смещений в ОЦК-железе. Энергия каскадов атомных смещений варьировалась от 1 до 20 кэВ. При облучении поверхности (111) в материале формируются к...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 1. С. 146-149
Другие авторы: Корчуганов, Александр Вячеславович, Зольников, Константин Петрович, Крыжевич, Дмитрий Сергеевич, Псахье, Сергей Григорьевич 1952-2018
Формат: Статья в журнале
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141682
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 03219nab a2200349 c 4500
001 koha001141682
005 20240701123929.0
007 cr |
008 240625|2017 ru s c rus d
035 |a koha001141682 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Особенности повреждения свободных поверхностей ОЦК-железа при ионном облучении  |c А. В. Корчуганов, К. П. Зольников, Д. С. Крыжевич, С. Г. Псахье 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 13 назв. 
520 3 |a На основе метода молекулярной динамики изучено влияние кристаллографической ориентации облучаемой поверхности на особенности развития каскадов атомных смещений в ОЦК-железе. Энергия каскадов атомных смещений варьировалась от 1 до 20 кэВ. При облучении поверхности (111) в материале формируются кратеры, а в случае поверхности (110) образуются дислокационные петли вакансионного типа с вектором Бюргерса а<100> или a/2<111>. Формирование кратера или дислокационной петли связано с анизотропным характером распространения ударных волн, генерируемых каскадами атомных смещений. При малых энергиях каскадов количество выживших точечных дефектов вблизи поверхности (110) больше, чем вблизи поверхности (111). При повышении энергии каскадов атомных смещений влияние ориентации свободной поверхности на количество выживших дефектов уменьшается. 
653 |a ионное облучение 
653 |a молекулярная динамика 
653 |a ОЦК-решетки 
653 |a железо 
655 4 |a статьи в журналах  |9 966571 
700 1 |a Корчуганов, Александр Вячеславович  |9 97758 
700 1 |a Зольников, Константин Петрович  |9 72179 
700 1 |a Крыжевич, Дмитрий Сергеевич  |9 81720 
700 1 |a Псахье, Сергей Григорьевич  |d 1952-2018  |9 105614 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2017  |g Т. 60, № 1. С. 146-149  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141682 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=1141682 
908 |a статья 
039 |b 100 
999 |c 1141682  |d 1141682