Линейный фотогальванический эффект в полупроводнике с горбообразной зонной структурой с учетом эффекта когерентного насыщения
Рассчитан ток сдвигового линейного фотогальванического эффекта в полупроводнике с горбообразной зонной структурой , обусловленного сдвигом носителей тока в реальном пространстве при прямых оптических переходах. При этом учтен вклад когерентного насыщения конечного состояния носителей тока в ток сдви...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 4. С. 147-151 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141722 |