Линейный фотогальванический эффект в полупроводнике с горбообразной зонной структурой с учетом эффекта когерентного насыщения
Рассчитан ток сдвигового линейного фотогальванического эффекта в полупроводнике с горбообразной зонной структурой , обусловленного сдвигом носителей тока в реальном пространстве при прямых оптических переходах. При этом учтен вклад когерентного насыщения конечного состояния носителей тока в ток сдви...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 4. С. 147-151 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141722 |