Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области
Проведены исследования роста соединений SiSn с содержанием Sn от 10 до 35 %. Изучена морфология и структура поверхности слоев SiSn, а также установлена кинетическая диаграмма морфологического состояния пленок SiSn в диапазоне температур 150-450 °С. При росте пленок SiSn от 150 до 300 °С наблюдались...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 2. С. 135-140 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141916 Перейти в каталог НБ ТГУ |