Тимофеев, В. А., Никифоров, А. И., Коханенко, А. П., Туктамышев, А. Р., Машанов, В. И., Лошкарев, И. Д., & Новиков, В. А. Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области. Известия высших учебных заведений. Физика, 0026-80960(2017), .
Chicago Style (17th ed.) CitationТимофеев, Вячеслав Алексеевич, Александр Иванович Никифоров, Андрей Павлович Коханенко, Артур Раисович Туктамышев, Владимир Иванович Машанов, Иван Дмитриевич Лошкарев, and Вадим Александрович Новиков. "Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области." Известия высших учебных заведений. Физика 0026-80960, no. 2017 ().
MLA (8th ed.) CitationТимофеев, Вячеслав Алексеевич, et al. "Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области." Известия высших учебных заведений. Физика, vol. 0026-80960, no. 2017, .