Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области
Проведены исследования роста соединений SiSn с содержанием Sn от 10 до 35 %. Изучена морфология и структура поверхности слоев SiSn, а также установлена кинетическая диаграмма морфологического состояния пленок SiSn в диапазоне температур 150–450 °С. При росте пленок SiSn от 150 до 300 °С наблюдались...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 2. С. 135-140 |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141916 |