| Summary: | В диапазоне температур 9–200 К экспериментально исследованы температурные зависимости дифференциального сопротивления области пространственного заряда в режиме сильной инверсии для МДП-структур на основе CdₓHg₁₋ₓTe (x = 0.22–0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучено влияние на величину произведения дифференциального сопротивления на площадь различных параметров структур: состава рабочего слоя, типа подложки, типа диэлектрического покрытия, наличия приповерхностного варизонного слоя. Показано, что значения произведения RОПЗA для МДП-структур на основе n-CdHgTe, выращенного на подложке из Si(013), меньше, чем для структур на основе материала, выращенного на подложке из GaAs(013). Значения RОПЗA для МДП-структур на основе p-CdHgTe, выращенного на подложке из Si(013), сравнимы со значением аналогичного параметра для МДП-структур на основе p-CdHgTe, выращенного на подложке из GaAs(013).
|
|---|
