|
|
|
|
| LEADER |
03739nab a2200385 c 4500 |
| 001 |
koha001141917 |
| 005 |
20241016174220.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
240628|2017 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a koha001141917
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1–xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs
|c А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.]
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a электронный
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 31 назв.
|
| 520 |
3 |
|
|a В диапазоне температур 9–200 К экспериментально исследованы температурные зависимости дифференциального сопротивления области пространственного заряда в режиме сильной инверсии для МДП-структур на основе CdₓHg₁₋ₓTe (x = 0.22–0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучено влияние на величину произведения дифференциального сопротивления на площадь различных параметров структур: состава рабочего слоя, типа подложки, типа диэлектрического покрытия, наличия приповерхностного варизонного слоя. Показано, что значения произведения RОПЗA для МДП-структур на основе n-CdHgTe, выращенного на подложке из Si(013), меньше, чем для структур на основе материала, выращенного на подложке из GaAs(013). Значения RОПЗA для МДП-структур на основе p-CdHgTe, выращенного на подложке из Si(013), сравнимы со значением аналогичного параметра для МДП-структур на основе p-CdHgTe, выращенного на подложке из GaAs(013).
|
| 653 |
|
|
|a МДП-структуры
|
| 653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
| 653 |
|
|
|a кадмий-ртуть-теллур
|
| 653 |
|
|
|a экспериментальные исследования
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Войцеховский, Александр Васильевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Несмелов, Сергей Николаевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Дзядух, Станислав Михайлович
|
| 700 |
1 |
|
|a Варавин, Василий Семенович
|
| 700 |
1 |
|
|a Васильев, Владимир Васильевич
|c физик
|
| 700 |
1 |
|
|a Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Михайлов, Николай Николаевич
|c физик
|
| 700 |
1 |
|
|a Якушев, Максим Михайлович
|
| 700 |
1 |
|
|a Сидоров, Георгий Юрьевич
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2017
|g Т. 60, № 2. С. 141-150
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141917
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 1141917
|d 1141917
|
