Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе CdxHg1–xTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs
В диапазоне температур 9–200 К экспериментально исследованы температурные зависимости дифференциального сопротивления области пространственного заряда в режиме сильной инверсии для МДП-структур на основе CdₓHg₁₋ₓTe (x = 0.22–0.40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучено влияние н...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 2. С. 141-150 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141917 |