Электрофизические свойства тонких пленок системы Ge–Sb–Te для устройств фазовой памяти
Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик аморфных тонких пленок на основе материалов системы Ge–Sb–Te составов GeSb₄Te₇ (GST147), GeSb₂Te₄ (GST124), Ge₂Sb₂Te₅ (GST225), применяемых в устройствах фазовой памяти. Определено влияние изменения состава...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 9. С. 80-86 |
|---|---|
| Other Authors: | , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001141958 |