| Summary: | Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик аморфных тонких пленок на основе материалов системы Ge–Sb–Te составов GeSb₄Te₇ (GST147), GeSb₂Te₄ (GST124), Ge₂Sb₂Te₅ (GST225), применяемых в устройствах фазовой памяти. Определено влияние изменения состава тонких пленок на температуру кристаллизации, удельные сопротивления в аморфном и кристаллическом состояниях и энергию активации проводимости. Выявлено, что особенностью данных материалов является механизм двухканальной проводимости, при котором вклад в электропроводность вносят носители, возбужденные в локализованные состояния в хвостах зон, и носители в распространенных состояниях валентной зоны.
|
|---|
