| Summary: | Исследованы особенности определения концентрации и профиля распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника при помощи измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложена методика определения концентрации легирующей примеси, основанная на измерении адмиттанса МДП-структур в диапазоне частот 50 кГц – 1 МГц. Показано, что вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te с приповерхностным варизонным слоем в этом частотном диапазоне имеют высокочастотный вид относительно времени перезарядки поверхностных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми для собственного полупроводника. Рассчитан профиль распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника и показано, что в p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te с приповерхностным варизонным слоем концентрация легирующей примеси имеет минимум вблизи границы раздела с диэлектриком.
|
|---|
