Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Исследованы особенности определения концентрации и профиля распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника при помощи измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложена методика определения концентраци...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 2. С. 105-114 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142207 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | Исследованы особенности определения концентрации и профиля распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника при помощи измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложена методика определения концентрации легирующей примеси, основанная на измерении адмиттанса МДП-структур в диапазоне частот 50 кГц - 1 МГц. Показано, что вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te с приповерхностным варизонным слоем в этом частотном диапазоне имеют высокочастотный вид относительно времени перезарядки поверхностных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми для собственного полупроводника. Рассчитан профиль распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника и показано, что в p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te с приповерхностным варизонным слоем концентрация легирующей примеси имеет минимум вблизи границы раздела с диэлектриком. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 31 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |