Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Исследованы особенности определения концентрации и профиля распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника при помощи измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложена методика определения концентрации...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 2. С. 105-114
Главный автор:	Войцеховский, Александр Васильевич
Другие авторы:	Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	МДП-структуры HgCdTe молекулярно-лучевая эпитаксия варизонные слои вольт-фарадные характеристики концентрация легирующей примеси профиль распределения концентрации легирующие примеси статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142207

Похожие документы

Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Дзядух, Станислав Михайлович
Публикация: (2010)

Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/
по: Дзядух, С. М. Станислав Михайлович
Публикация: (2010)

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe

Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm

Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
по: Несмелов, Сергей Николаевич

Nano‑size defect layers in arsenic‑implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy

Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis

Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения

Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Моделирование вольт-фарадных характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при неоднородном распределении состава и легирующей примеси
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe

Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te films

Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)

Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te

Admittance measurements in the temperature range (8-77) K for characterization of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with and without graded-gap layers
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Localization and nature of radiation donor defects in the arsenic implanted CdHgTe films grown by MBE

Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ

Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями

Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов

Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика

Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Особенности кинетических коэффициентов монокристаллов слоистого полупроводника р-GaSe
по: Абдинов, Ахмед Шахвелед оглы

О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления
по: Талипов, Нияз Хатимович

Учет зависимости электронного сродства от состава при расчете зонных диаграмм варизонных структур CdHgTe
по: Горн, Дмитрий Игоревич

Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона
Публикация: (2001)

Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe
по: Дзядух, Станислав Михайлович

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Дзядух, Станислав Михайлович

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К

Investigation of the differential resistance of MIS structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers