Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Исследованы особенности определения концентрации и профиля распределения легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника при помощи измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg₀.₇₈Cd₀.₂₂Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложена методика определения концентрации...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 2. С. 105-114 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142207 |