BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 12. С. 178-181 |
|---|---|
| Main Author: | Брудный, Валентин Натанович |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142250 |
Similar Items
-
Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела
by: Брудный, Валентин Натанович - Features of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMTs
-
Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe
by: Брудный, Валентин Натанович -
Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
by: Брудный, Валентин Натанович -
Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность
by: Брудный, Валентин Натанович
