Skip to content
  • Language
    • English
    • Русский

Advanced
  • BN, AlN, GaN, InN: уровень зар...
  • Cite this
  • Print
  • Export Record
    • Export to RefWorks
    • Export to EndNoteWeb
    • Export to EndNote
  • Permanent link
BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование

BN, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 59, № 12. С. 178-181
Main Author: Брудный, Валентин Натанович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
зарядовая нейтральность
собственный уровень зарядовой нейтральности,
дефекты
поверхность
границы раздела
легирование химическими примесями
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142250
  • Holdings
  • Description
  • Similar Items
  • Staff View

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142250

Similar Items

  • Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела
    by: Брудный, Валентин Натанович
  • Features of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMTs
  • Уровень зарядовой нейтральности и электронные свойства межфазных границ в слоистом полупроводнике ε-GaSe
    by: Брудный, Валентин Натанович
  • Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
    by: Брудный, Валентин Натанович
  • Зарядовая нейтральность в полупроводниках: дефекты, границы раздела, поверхность
    by: Брудный, Валентин Натанович
|   Advanced Search   |   Search Tips   |

Большой университет Томска
https://university-tomsk.ru/
Loading...