Механизмы токопрохождения в диодной структуре с n+-p-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пленки пористого кремния
Исследована температурная зависимость вольт-амперных характеристик фотоэлектрического преобразователя с антиотражающей пленкой пористого кремния и n⁺-p-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пористой пленки. Насыщение пленки пористого кремния фосфором производилось в процесс...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 9. С. 94-99 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142286 Перейти в каталог НБ ТГУ |