Механизмы токопрохождения в диодной структуре с n+–p-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пленки пористого кремния
Исследована температурная зависимость вольт-амперных характеристик фотоэлектрического преобразователя с антиотражающей пленкой пористого кремния и n⁺–p-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пористой пленки. Насыщение пленки пористого кремния фосфором производилось в процессе ее...
| Опубликовано в: : | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 60, № 9. С. 94-99 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Другие авторы: | , |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:001142286 |
| Итог: | Исследована температурная зависимость вольт-амперных характеристик фотоэлектрического преобразователя с антиотражающей пленкой пористого кремния и n⁺–p-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пористой пленки. Насыщение пленки пористого кремния фосфором производилось в процессе ее роста электрохимическим способом. Показано, что на процессы токопрохождения в исследуемой структуре существенное влияние оказывают ловушки. |
|---|---|
| Библиография: | Библиогр.: 10 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |